外加正向电压时，在正向特征的肇端部门，正向电压很小，不敷以克制PN结内电场的阻挠感化，正向电流险些为零。当正向电压大到足以克制PN结电场时，二极管正导游通，电流随电压增大而疾速上升。
反向特征：外加反向电压不超越必然范畴时，经由过程二极管的电流是少数载流子漂移活动所构成反向电流。因为反向电流很小，二极管处于停止形态。反向电压增大到必然水平后，二极管反向击穿。
在二极管两头加正向偏置电压时，其内部电园地区变窄，能够有较大的正向分散电流经由过程PN结。只要当正向电压到达某一数值(这一数值称为“门坎电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)当前，二极管才气真正导通。但二极管的导通压降是恒定稳定的吗?它与正向分散电流又存在甚么样的干系?经由过程下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管停止导通电流与导通压降的干系测试，可获得如图2所示的曲线干系：正导游通压降与导通电流成反比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但关于功率二极管来讲它不只影响服从也影响二极管的温升，以是在价钱前提许可下，只管挑选导通压降小、额定事情电流较实践电流高一倍的二极管。
在我们开辟产物的过程当中，上下温情况对电子元器件的影响才是产物不变事情的最大停滞。情况温度对绝大部门电子元器件的影响无疑是宏大的，二极管固然也不破例，在上下温情况下经由过程对SM360A的实测数据表1与图3的干系曲线可晓得：二极管的导通压降与情况温度成反比。在情况温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的不变性，但在情况温度为75℃时，外壳温度却已超越了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必需降额利用。这也是为何开关电源在某一个高温点需求降额利用的身分之一。
额定电流IF指二极管持久运转时，按照运转温升折算出来的均匀电流值。今朝最大功率整流二极管的IF值可达1000A。
是指二极管持久持续事情时，许可经由过程的最大正向均匀电流值，其值与PN结面积及内部散热前提等有关。由于电流经由过程管子时会使管芯发烧，温度上升，温度超越允许限度（硅管为141阁下，锗管为90阁下）时，就会使管芯过热而破坏。以是在划定散热前提下，二极管利用中不要超越二极管最大整流电流值。比方，经常使用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向事情电流为1A。
最大均匀整流电流IO：在半波整流电路中，流过负载电阻的均匀整流电流的最大值。折算设想时十分主要的值。
即便没有反向电流，只需不竭地进步反向电压，早晚会使二极管破坏。这类能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是重复加上的正反向电压。因给整流器加的是交换电压，它的最大值是划定的主要因子。最大反向峰值电压VRM指为制止击穿所能加的最大反向电压。今朝最高的VRM值可达几千伏。
上述最大反向峰值电压是重复加上的峰值电压，VR是持续加直流电压的值。用于直流电流，最大直流反向电压关于肯定许可值和上限值是很主要的。
因为PN结的结电容存在，当事情频次超越某一值时，它的单导游电性将变差。点打仗式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，普通不高于几千Hz。
当正向事情电压从正向电压酿成反向电压时，二极督工作的幻想状况是电流能瞬时停止。实践上，普通要提早一点点工夫。决议电流停止延时的量，就是反向规复工夫。
二极管中有电流流过，就会吸热，而使本身温度降低。最大功率P为功率的最大值。详细讲就是加载二极管两头的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得出格主要。
指在二极管两头参加反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体质料和温度有关。在常温下，硅管的IR为nA（10-9A）级，鍺管的IR为mA（10-6A）级
降额能够进步产物牢靠性，耽误利用寿命，按照温度低落10℃寿命增长一倍的实际，上面列出了差别额定结温的管子最小降额结温数据。
在选型阶段该当思索到器件能否经由过程了安规认证，次要该当思索功率器件。通常是列国普遍承受的安规认证范例有UL（北美）、CSA（加拿大）、TUV（德国）、VDE等
准确选用器件及器件周边的线路设想、机器设想和热设想等来件在整机中的事情前提，避免各类不恰当的应力大概操纵给器件带来毁伤，从而最大限度地阐扬器件的固有牢靠性。
设想单板时，应放宽器件的参数许可变革的范畴（包罗制作容差、温度漂移、工夫漂移），以包管器件的参数在必然范畴内变革时，单板能一般事情。
O/J是OPEN JUNCTION的晶圆分散工艺，在晶圆分散后切片成晶粒，晶粒的边沿是粗拙的，机电能不不变，需求用混淆酸（次要身分为氢氟酸）洗掉边沿，然后包以硅胶并封装成型，可托任性较差。
GPP是Glassivation passivation parts的缩写，是玻璃钝化类器件的统称，该产物就是在现有产物一般硅整流分散片的根底上对拟朋分的管芯P/N结面周围烧制一层玻璃，玻璃与单晶硅有很好的分离特征，使P/N结得到最好的庇护，免受外界情况的扰乱，进步器件的不变性，可托任性极佳。
O/J的散热性没有GPP的好，二者素质构造判然不同:O/J芯片需求颠末酸洗后加铜片焊接共同硅胶封装，内部构造上显得比GPP的大；GPP芯片造的整流桥免除了酸洗、上硅胶等步调，间接与整流桥的铜毗连片焊接。内部构造显的比O/J芯片制作而成的小。才形成直观的、风俗性的曲解。
1太阳成集团tyc33455cc平台、GPP芯片在wafer阶段即完成玻璃钝化，并可施行VR的probe testing，而OJ芯片只要在制得废品后测试VR。
2、VRM为1000V的GPP芯片，凡是从P+面开槽和停止玻璃钝化，台面呈负斜角构造(外表电场强度高于体内)，而OJ芯片的切割不存在斜角。
3、GPP芯片的玻璃钝化散布在pn结部门地区(不像GPRC芯片对全部断面施行玻璃钝化，而OJ芯片对全部断面施加硅橡胶庇护。
5、GPP芯片接纳特别高温熔融无机玻璃膜钝化，Tjm及HTIR不变性高于用有机硅橡胶庇护的OJ成品太阳成集团tyc33455cc。
（1）OJ的芯片必需颠末焊接、酸洗、钝化、上白胶、成型固化烘烤等步调,其电性（反向电压）与封装酸洗工艺亲密相干，通例封装情势为插件式。
（2）而GPP在芯片片制作工艺中已包罗酸洗、钝化。其电性由芯片片间接决议，常见封状情势为贴片式。
